АНАЛІЗ СТРУКТУРИ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНИХ ПОКРИТТІВ ДЛЯ ОПТИМІЗАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ ВУЗЬКОСМУГОВИХ ОПТИЧНИХ ФІЛЬТРІВ - Воронько , Андрій; Новіков, Денис; Вербіцький, Дмитро; Волошин, Олександр; Бєлькевич, Олексій (Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування, 2024)
Для контролю параметрів напівпровідникових шарів, отриманих із твердих розчинів сполук А3В5 під час епітаксії, використовуються оптичні методи. Вибір методів оптичного моніторингу визначається конструкцією реактора, яка вимагає безконтактних, швидких і точних методів вимірювання параметрів поверхні підкладок. Під час росту епітаксійних шарів осадження напівпровідникових сполук викликає зміну оптичних параметрів поверхні пластини. Для забезпечення точних вимірювань необхідний контроль даних параметрів у вузькому спектральному діапазоні. В електрооптичних системах моніторингу для виділення необхідного спектру використовуються вузькосмугові інтерференційні фільтри. Однак, цей тип фільтрів чутливий до ряду факторів, таких як умови навколишнього середовища, старіння покриття та кут падіння. Як результат, виготовлення вузькосмугових оптичних фільтрів зі стабільними та точно контрольованими оптичними характеристиками представляє комплексну задачу. У статті проаналізовано вплив різних факторів на оптичні характеристики інтерференційних покриттів. Кількісний аналіз показує, що зсув виділеної смуги спектру з центральною довжиною хвилі λmax може наближатися до або навіть перевищувати повну ширину на половині максимуму (FWHM). Ці зміни в оптичних характеристиках вузькосмугових фільтрів призводять до зниження точності вимірювань параметрів епітаксійних шарів. Результати цього аналізу сприятимуть оптимізації конструкції тонкоплівкових структур, що використовуються в вузькосмугових оптичних фільтрах. Дослідження зміщення виділеної смуги також дозволяє здійснювати у деяких межах контрольовану зміну λmax або враховувати її зміщення при регулярній зміні факторів. У кінцевому підсумку, це дозволяє врахувати ці зміни під час проектування електрооптичних систем для моніторингу епітаксійного росту напівпровідникових гетероструктур, що підвищує точність і стабільність оптичних вимірювань у необхідному діапазоні точності.