СТАБІЛЬНІ ФОРМУВАЧІ ІМПУЛЬСНОГО СТРУМУ ДЛЯ ЖИВЛЕННЯ СВІТЛОДІОДІВ

Автор(и)

  • Egor Aushev Масачуссетський технологічний інститут, Нью-Йорк, США
  • Sergiy Voronov Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Oleksiy Genkin Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Vira Genkina Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Volodymyr Rodionov Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.52(2).2016.92947

Ключові слова:

формувач імпульсів струму, світлодіоди, карбiд кремнію, лавинні транзистори

Анотація

Стабільні генератори світлових імпульсів нано- та субнаносекундної тривалості можуть знайти широке використання у експериментальній техніці, приладобудуванні. У якості джерела світла в таких генераторах перспективно використовувати стабільні, широкосмугові, швидкі світлодіоди на основі карбіду кремнію, що працюють у режимі електричного пробою. Існує необхідність створення стабільних формувачів імпульсного струму для їх живлення. Метою даної роботи є створення таких формувачів на основі лавинних та швидкісних польових транзисторів.

Випробувана значна кількість типів та екземплярів недорогих епітаксіальних транзисторів, працюючих у лавинному режимі. Експериментально визначено оптимальний інтервал напруг пробою колекторного переходу. Досліджена часова нестабільність формувачів на лавинних транзисторах. Виявлені закономірності їх старіння. Відпрацьована схема формувача на польовому транзисторі, що працює під керівництвом лавинного, що дозволяє формувати субнаносекундні імпульси струму через світлодіоди амплітудою до 1 А.

Біографії авторів

Egor Aushev, Масачуссетський технологічний інститут, Нью-Йорк

д.т.н., професор, с.н.с.

Sergiy Voronov, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

д.т.н., професор, НТУУ«КПІ», зав. кафедрою прикладної фізики ФТІ

Oleksiy Genkin, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

к.т.н., с.н.с.

Vira Genkina, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

н.с.

Volodymyr Rodionov, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

к.ф-м.н., с.н.с.

Посилання

A.M. Genkin A.M., V.K. Genkina, L.P., "GermashKinetics breakdown electroluminescence p-n-junctions in a silicon carbide," Technical Physics, Vol. 70, №4, pp.52–55, 2000. (in Russian)

. A.M. Genkin, V.K. Genkina, L.P. Germash, "Effect of long-term operation and temperature spectra of silicon carbide LEDs operating in the mode of electrical breakdown," Technical Physics, Vol. 69, №10. pp.69–76, 1999. (in Russian)

M.V. Belous, A.M. Genkin, V.K. Genkina, S.A. Stankevich, "Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the mode of electrical breakdown," Technical Physics, Vol.67, №1, pp.130–132, 1997. (in Russian)

I.V. Ryzhikov, V.I. Rykalin, V.G. Lapshin, S.V. Svechnikov, N.I. Sypko, "Study the temporal characteristics of pulsed LEDs in the nanosecond and sub-nanosecond range, and their main applications," Semiconductor Equipment and microelectronics, №20, pp.87–95, 1975 (in Russian)

A.E. Plaudis, G.K. Limezh, A.M. Genkin, V.S. Kiselev, "Generator sub- nanosecond light pulses to determine the temporal characteristics of photodetectors," Methods and apparatus for physical research. – Riga: LSU, pp.70–82, 1989. (in Russian)

D’yaconov V.P. Avalanche transistors and thyristors. Theory and Application. A series of "components and technology." – Moscow: SOLON-PRESS, 2008. 392 p. (in Russian)

B.Y. Baldin, Z. Tsisek, "Generator of nanosecond pulses for power LEDs," Instruments and Experimental Techniques, №5, pp.122–124, 1973. (in Russian)

Meleshko E.A. Nanosecond electronics in experimental physics. – Moscow: Energoatomisdat, 1987. 216 p. (in Russian)

V.V. Bachurin, V.Y. Vaksenburg, V.P. D’yaconov and others, Circuitry on powerful devices FET: Guide; Ed. V.P. D’yakonov. Moscow: Radio and Communications, 1994. 280 p. (in Russian)

V.K. Aladinsky, O.V. Korolev, M.V. Salomykova, A.M. Timerbulatov, "Statistical fluctuations of the avalanche current microplasma," Electronic Engineering. Ser. 2, semiconductor devices, №4, pp. 46–54, 1972. (in Russian)

V.S. Abramov, I.N. Golembievskaya, A.A. Ptaschenko, V.P. Drying, "Curing" irregularities p-n junctions in the LED when a reverse current is passed," Electronic Engineering, ser.2, №4 (190), pp. 16–19, 1987. (in Russian)

Y.M. Altaisky, S.F. Avramenko, A.M. Genkin, V.K. Genkina, V.S. Kiselev, T.M. Korsun, "Broadband LED light with low radiation area," Instruments and Experimental Techniques, №2, pp. 245, 1986. (in Russian)

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-30

Як цитувати

[1]
E. Aushev, S. Voronov, O. Genkin, V. Genkina, і V. Rodionov, «СТАБІЛЬНІ ФОРМУВАЧІ ІМПУЛЬСНОГО СТРУМУ ДЛЯ ЖИВЛЕННЯ СВІТЛОДІОДІВ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 52(2), с. 59–65, Груд 2016.

Номер

Розділ

НАУКОВІ ТА ПРАКТИЧНІ ПРОБЛЕМИ ВИРОБНИЦТВА ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ