СТАБІЛЬНІ ФОРМУВАЧІ ІМПУЛЬСНОГО СТРУМУ ДЛЯ ЖИВЛЕННЯ СВІТЛОДІОДІВ
DOI:
https://doi.org/10.20535/1970.52(2).2016.92947Ключові слова:
формувач імпульсів струму, світлодіоди, карбiд кремнію, лавинні транзисториАнотація
Стабільні генератори світлових імпульсів нано- та субнаносекундної тривалості можуть знайти широке використання у експериментальній техніці, приладобудуванні. У якості джерела світла в таких генераторах перспективно використовувати стабільні, широкосмугові, швидкі світлодіоди на основі карбіду кремнію, що працюють у режимі електричного пробою. Існує необхідність створення стабільних формувачів імпульсного струму для їх живлення. Метою даної роботи є створення таких формувачів на основі лавинних та швидкісних польових транзисторів.
Випробувана значна кількість типів та екземплярів недорогих епітаксіальних транзисторів, працюючих у лавинному режимі. Експериментально визначено оптимальний інтервал напруг пробою колекторного переходу. Досліджена часова нестабільність формувачів на лавинних транзисторах. Виявлені закономірності їх старіння. Відпрацьована схема формувача на польовому транзисторі, що працює під керівництвом лавинного, що дозволяє формувати субнаносекундні імпульси струму через світлодіоди амплітудою до 1 А.Посилання
A.M. Genkin A.M., V.K. Genkina, L.P., "GermashKinetics breakdown electroluminescence p-n-junctions in a silicon carbide," Technical Physics, Vol. 70, №4, pp.52–55, 2000. (in Russian)
. A.M. Genkin, V.K. Genkina, L.P. Germash, "Effect of long-term operation and temperature spectra of silicon carbide LEDs operating in the mode of electrical breakdown," Technical Physics, Vol. 69, №10. pp.69–76, 1999. (in Russian)
M.V. Belous, A.M. Genkin, V.K. Genkina, S.A. Stankevich, "Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the mode of electrical breakdown," Technical Physics, Vol.67, №1, pp.130–132, 1997. (in Russian)
I.V. Ryzhikov, V.I. Rykalin, V.G. Lapshin, S.V. Svechnikov, N.I. Sypko, "Study the temporal characteristics of pulsed LEDs in the nanosecond and sub-nanosecond range, and their main applications," Semiconductor Equipment and microelectronics, №20, pp.87–95, 1975 (in Russian)
A.E. Plaudis, G.K. Limezh, A.M. Genkin, V.S. Kiselev, "Generator sub- nanosecond light pulses to determine the temporal characteristics of photodetectors," Methods and apparatus for physical research. – Riga: LSU, pp.70–82, 1989. (in Russian)
D’yaconov V.P. Avalanche transistors and thyristors. Theory and Application. A series of "components and technology." – Moscow: SOLON-PRESS, 2008. 392 p. (in Russian)
B.Y. Baldin, Z. Tsisek, "Generator of nanosecond pulses for power LEDs," Instruments and Experimental Techniques, №5, pp.122–124, 1973. (in Russian)
Meleshko E.A. Nanosecond electronics in experimental physics. – Moscow: Energoatomisdat, 1987. 216 p. (in Russian)
V.V. Bachurin, V.Y. Vaksenburg, V.P. D’yaconov and others, Circuitry on powerful devices FET: Guide; Ed. V.P. D’yakonov. Moscow: Radio and Communications, 1994. 280 p. (in Russian)
V.K. Aladinsky, O.V. Korolev, M.V. Salomykova, A.M. Timerbulatov, "Statistical fluctuations of the avalanche current microplasma," Electronic Engineering. Ser. 2, semiconductor devices, №4, pp. 46–54, 1972. (in Russian)
V.S. Abramov, I.N. Golembievskaya, A.A. Ptaschenko, V.P. Drying, "Curing" irregularities p-n junctions in the LED when a reverse current is passed," Electronic Engineering, ser.2, №4 (190), pp. 16–19, 1987. (in Russian)
Y.M. Altaisky, S.F. Avramenko, A.M. Genkin, V.K. Genkina, V.S. Kiselev, T.M. Korsun, "Broadband LED light with low radiation area," Instruments and Experimental Techniques, №2, pp. 245, 1986. (in Russian)
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право на публікацію залишається за авторами.
Автори можуть використовувати власні матеріали в інших публікаціях за умови посилання на збірник наукових праць "Вісник Київського політехнічного інституту. Серія ПРИЛАДОБУДУВАННЯ" як на перше місце видання та на Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» як на видавця.
Автори публікують свої статті в збірнику на умовах ліцензії Creative Commons:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії CC BY 4.0, яка дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на динаміці цитування опублікованої роботи.
Видавець (КПІ ім. Ігоря Сікорського) має право за будь-якого використання цього видання зазначати своє ім'я або вимагати такого зазначення.
Редакційна колегія залишає за собою право розміщувати опубліковані в збірнику статті в різних інформаційних базах для надання відкритого доступу до матеріалів з метою популяризації наукових досліджень та підвищення цитованості авторів.
