ТЕРМОАНЕМОМЕТРІЯ НА ОСНОВІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНОГО КАРБІДУ КРЕМНІЮ КУБИЧНОЇ МОДІФІКАЦІЇ

Al’gimantas Bubulis, Sergiy Voronov, Oleksiy Genkin, Tetyana Bratus’, Volodymyr Rodionov

Анотація


Карбідкремнієві сенсори займають важливий сегмент ринку приладів для екстремальних умов застосування. Показано, що одним з оптимальних напівпровідникових матеріалів для виміру температури і швидкості потоку є полікристалічний карбід кремнію кубічної модифікації, легований в процесі низькотемпературного зростання акцепторною домішкою бору 3СSiC (В).

Метою роботи було розробка термоанемометра на основі 3СSiC(В) і вивчення його характеристик. Сенсори швидкості і температури анемометра виготовлені з одного блоку у вигляді пластинок площею 1´1 мм2 і товщиною 200 – 300 мкм. Визначені градуювальні характеристики датчика опору до 700К і анемометра в діапазоні температур (290 – 410) К. Температурний коефіцієнт опору складає 3,5×102град-1 при Т=300К. За допомогою анемометра проведений вимір полів температур і швидкостей конвективних потоків повітря, що створюються нагрітою пластиною. Точність виміру швидкості потоку складає 0,1м/с, а температури 0,1°С з просторовим розрізненням 2 мм

Ключові слова


анемометр; сенсор швидкості потоку; сенсор температури

Повний текст:

PDF

Посилання


Y.A Vodakov, A.G. Ostroumov, "Silicon carbide for the solid state electronics," Measurement, control, automation, №2 (62), pp.53–60, 1987. (in Russian)

R. Campbell, Ed. Marshall, I. Faust, C. Ryan, "Silicon Carbide Junction Termistor. Silicon Carbide, Univ. of South Carolina Press, pp. 611– 617, 1973.

G.N. Violina, G.F. Holuyanov, "Silicon Carbide in Termistors and Photoresistors," Questions of radioelectronic, Series Parts and components radio equipment, №4, pp.98–106, 1965. (in Russian)

A.N. Komov, V.Y. Kochetkov, V.I. Chepurnov, H.H. Devlikanov, "Hightemperature thermal element," Devices and control systems, №1, p. 30, 1985. (in Russian)

Y.M. Tairov, Y.A. Vodakov, Grup IV Materials (Mainly SiC), Тopics in Appl. Phys.; Ed. By Pankov J., Berlin – Heidelberg – N.Y., 1977, vol.17, pp. 31-61.

Robert S., Gustave C. Silicon carbide high temperature anenometer and mehtod for assembling the same. Patent USA, No.6,647,809 Bl. Nov. 18, 2003.

V.S Ballandovich, S.V. Bogachev,V.A. Il’yn, A.V. Korlyakov, B.S. Kostromin, V.V. Luchinin, A.A. Petrov, "Realization of silicon carbide sensors for measurements on gaseous working fluids," Materials Science аnd Engineering, B46, pp.383–386, 1997.

Man I Lei. Silicon carbide high temperature termoelektric flow sensor. Department of materials science and engineering: D. Ph. Case western reserve university, Clevelend, Ohio.– January, 2011, 134 p.

L.M Ivanova, P.A. Aleksandrov, K.D Demakov, "Termoelektrical properties of vapor grown polycristalline cubic SiC," Inorg. Mater., Vol. 42, no.11, pp. 1205 – 1209, 2006. (in Russian)

V.N. Rodionov, L.M. Ivanova, A.A. Pletyushkin, "Influence of bor impurity on photoelektric properties of policristalline 3C – SiC," Doped semiconductor materials. Moscow: Ed. "Science", 1985, pp .25 – 27. (in Russian)

V.N. Rodionov, V.Ya.Bratus’ , "Influence of nitrogen impurity on radiative and nonradiative recombination in cubic silicon carbide," Ukr. Phys. J., Vol. 46, №9, pp. 979–984, 2001. (in Russian)

Rodionov V.N., "Temperature dependence of exiton luminescence in cubic silicon carbide,"Proceedings of the Odessa Polytechnic University, Vol. 2 (14), pp. 151–155, 2001. (in Russian)

P.I. Savostenko, S.P. Serbina, "Termoanemometrical test complex for meagerement of temperature and speed in turbulent gas flow," Instruments and experimental technique, №6, pp. 185–186, 1989(in Russian)

Yaryshev N.A. Theoretical basis of non-stationary measurement of temperature. Leningrad: Energoatomisdat, 1990. 256 p. (in Russian)




DOI: https://doi.org/10.20535/1970.52(2).2016.92763

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2017 Рівні права