ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ

Sergei Voronov, Aleksandr Bogorosh, Sergei Muravov, Natalia Gordiiko

Анотація


Основним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам’яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, – сімейство Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи – розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO3, нанесених на кремнієву підкладку, як реєст­руючих середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам’яті. Представлено методику формування та вимірювання плівок PbTiO3, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показана можливість використання отриманих плівок як реєструючих середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.


Ключові слова


тонкі сегнетоелектричні плівки; вольт-фарадні характеристики; поліметалічні оксиди

Повний текст:

PDF

Посилання


Tomashpolskiy Yu.Ya. (1984), Films ferroelectrics [Plenochnye segnetoelektriki]. М.: Radio i svyaz, 192 p. (Russian)

Gevorgian S. (2009), Ferroelectrics in Microwave Devices, Circuits and Systems. London: Springer-Verlag, 394 p.

Mukhortov, V.M., Yuzyuk, Yu.Y. (2008), Heterostructures based on nanoscale ferroelectric films: preparation, properties and applications [Geterostruktury na osnove nanorazmernykh segnetoėlektricheskikh plenok: poluchenie, svoĭstva i primenenie ]. Rostov-na-Donu, publ. JuNC RAN, 224 p. (Russian).

Katiyar R.S., Kumar A., Rivera I. (2009), Solid State communications. V.149, Iss.3, P.172-176.

Mjasnikov Je.N., Tolstouhov S.V., Frolenkov K.Ju. (2004), Fizika tverdogo tela. Vol.46, №12, pp.2193-2199. (Russian)

Vorotilov K.A., Muhortov V.M., Sigov A.S. (2011), Integrated ferroelectric devices [Integrirovannye segnetojelektricheskie ustrojstva], red. chl.-korr. RAN A.S. Sigova. M.: Jenergoatomizdat. 175 p. (Russian)

Afanas'ev M.S., Burov A.V., Egorov V.K., Luchnikov P.A., Chucheva G.V. (2012), Vestn. nauki Sibiri. №1(2), p.126-133. (Russian)

Kleto G.I., Martynjuk Ja.V., Savchuk A.I., Strebezhev V.N., Obedzinskij Ju.K. (2009), Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, Vol.7, №1, p. 65-71. (Russian)

Sidorkin A.S., Nesterenko L.P., Smirnov A.L., Smirnov G.L., Sidorkin A.A., Ryabtsev S.V. (2007), Parameters of Domain Boundaries in Thin PbTiO3 Films. Ferroelectrics,V.359, №1-6.

Zhou X.Y., Heindl T., H.Pang G.K., Miao J., Zheng R.K., Chan H.L.W., Choy C.L., Wang Y. (2006), Appl.Phys.Lett., V.89., P.232906-1-232906-3.

Wang S.Y., Cheng B.L., Wang C., Dai S.Y., Jin K.J., Zhou Y.L., Lu H.B., Chen Z.H., Yang G.Z. (2006), J.Appl.Phys, V.99, P.013504-1-013504-6.




DOI: https://doi.org/10.20535/1970.50(2).2015.57765

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2017 Рівні права