ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ

Автор(и)

  • Sergei Voronov НТУУ "КПІ", Україна
  • Aleksandr Bogorosh НТУУ "КПІ", Україна
  • Sergei Muravov НТУУ "КПІ", Україна
  • Natalia Gordiiko НТУУ "КПІ", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.50(2).2015.57765

Ключові слова:

тонкі сегнетоелектричні плівки, вольт-фарадні характеристики, поліметалічні оксиди

Анотація

Основним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам’яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, – сімейство Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи – розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO3, нанесених на кремнієву підкладку, як реєст­руючих середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам’яті. Представлено методику формування та вимірювання плівок PbTiO3, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показана можливість використання отриманих плівок як реєструючих середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.

Посилання

Tomashpolskiy Yu.Ya. (1984), Films ferroelectrics [Plenochnye segnetoelektriki]. М.: Radio i svyaz, 192 p. (Russian)

Gevorgian S. (2009), Ferroelectrics in Microwave Devices, Circuits and Systems. London: Springer-Verlag, 394 p.

Mukhortov, V.M., Yuzyuk, Yu.Y. (2008), Heterostructures based on nanoscale ferroelectric films: preparation, properties and applications [Geterostruktury na osnove nanorazmernykh segnetoėlektricheskikh plenok: poluchenie, svoĭstva i primenenie ]. Rostov-na-Donu, publ. JuNC RAN, 224 p. (Russian).

Katiyar R.S., Kumar A., Rivera I. (2009), Solid State communications. V.149, Iss.3, P.172-176.

Mjasnikov Je.N., Tolstouhov S.V., Frolenkov K.Ju. (2004), Fizika tverdogo tela. Vol.46, №12, pp.2193-2199. (Russian)

Vorotilov K.A., Muhortov V.M., Sigov A.S. (2011), Integrated ferroelectric devices [Integrirovannye segnetojelektricheskie ustrojstva], red. chl.-korr. RAN A.S. Sigova. M.: Jenergoatomizdat. 175 p. (Russian)

Afanas'ev M.S., Burov A.V., Egorov V.K., Luchnikov P.A., Chucheva G.V. (2012), Vestn. nauki Sibiri. №1(2), p.126-133. (Russian)

Kleto G.I., Martynjuk Ja.V., Savchuk A.I., Strebezhev V.N., Obedzinskij Ju.K. (2009), Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, Vol.7, №1, p. 65-71. (Russian)

Sidorkin A.S., Nesterenko L.P., Smirnov A.L., Smirnov G.L., Sidorkin A.A., Ryabtsev S.V. (2007), Parameters of Domain Boundaries in Thin PbTiO3 Films. Ferroelectrics,V.359, №1-6.

Zhou X.Y., Heindl T., H.Pang G.K., Miao J., Zheng R.K., Chan H.L.W., Choy C.L., Wang Y. (2006), Appl.Phys.Lett., V.89., P.232906-1-232906-3.

Wang S.Y., Cheng B.L., Wang C., Dai S.Y., Jin K.J., Zhou Y.L., Lu H.B., Chen Z.H., Yang G.Z. (2006), J.Appl.Phys, V.99, P.013504-1-013504-6.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-12-25

Як цитувати

[1]
S. Voronov, A. Bogorosh, S. Muravov, і N. Gordiiko, «ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 50(2), с. 84–92, Груд 2015.

Номер

№ 50(2) (2015)

Розділ

НАУКОВІ ТА ПРАКТИЧНІ ПРОБЛЕМИ ВИРОБНИЦТВА ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ

Ліцензія

Авторське право на публікацію залишається за авторами.

Автори можуть використовувати власні матеріали в інших публікаціях за умови посилання на збірник наукових праць "Вісник Київського політехнічного інституту. Серія ПРИЛАДОБУДУВАННЯ" як на перше місце видання та на Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»  як на видавця.

Автори публікують свої статті в збірнику на умовах ліцензії Creative Commons:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії CC BY 4.0, яка дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на динаміці цитування опублікованої роботи.

 Видавець (КПІ ім. Ігоря Сікорського) має право за будь-якого використання цього видання зазначати своє ім'я або вимагати такого зазначення.

Редакційна колегія залишає за собою право розміщувати опубліковані в збірнику статті в різних інформаційних базах для надання відкритого доступу до матеріалів з метою популяризації наукових досліджень та підвищення цитованості авторів.