ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ

Автор(и)

  • Sergei Voronov НТУУ "КПІ", Україна
  • Aleksandr Bogorosh НТУУ "КПІ", Україна
  • Sergei Muravov НТУУ "КПІ", Україна
  • Natalia Gordiiko НТУУ "КПІ", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.50(2).2015.57765

Ключові слова:

тонкі сегнетоелектричні плівки, вольт-фарадні характеристики, поліметалічні оксиди

Анотація

Основним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам’яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, – сімейство Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи – розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO3, нанесених на кремнієву підкладку, як реєст­руючих середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам’яті. Представлено методику формування та вимірювання плівок PbTiO3, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показана можливість використання отриманих плівок як реєструючих середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.

Посилання

Tomashpolskiy Yu.Ya. (1984), Films ferroelectrics [Plenochnye segnetoelektriki]. М.: Radio i svyaz, 192 p. (Russian)

Gevorgian S. (2009), Ferroelectrics in Microwave Devices, Circuits and Systems. London: Springer-Verlag, 394 p.

Mukhortov, V.M., Yuzyuk, Yu.Y. (2008), Heterostructures based on nanoscale ferroelectric films: preparation, properties and applications [Geterostruktury na osnove nanorazmernykh segnetoėlektricheskikh plenok: poluchenie, svoĭstva i primenenie ]. Rostov-na-Donu, publ. JuNC RAN, 224 p. (Russian).

Katiyar R.S., Kumar A., Rivera I. (2009), Solid State communications. V.149, Iss.3, P.172-176.

Mjasnikov Je.N., Tolstouhov S.V., Frolenkov K.Ju. (2004), Fizika tverdogo tela. Vol.46, №12, pp.2193-2199. (Russian)

Vorotilov K.A., Muhortov V.M., Sigov A.S. (2011), Integrated ferroelectric devices [Integrirovannye segnetojelektricheskie ustrojstva], red. chl.-korr. RAN A.S. Sigova. M.: Jenergoatomizdat. 175 p. (Russian)

Afanas'ev M.S., Burov A.V., Egorov V.K., Luchnikov P.A., Chucheva G.V. (2012), Vestn. nauki Sibiri. №1(2), p.126-133. (Russian)

Kleto G.I., Martynjuk Ja.V., Savchuk A.I., Strebezhev V.N., Obedzinskij Ju.K. (2009), Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, Vol.7, №1, p. 65-71. (Russian)

Sidorkin A.S., Nesterenko L.P., Smirnov A.L., Smirnov G.L., Sidorkin A.A., Ryabtsev S.V. (2007), Parameters of Domain Boundaries in Thin PbTiO3 Films. Ferroelectrics,V.359, №1-6.

Zhou X.Y., Heindl T., H.Pang G.K., Miao J., Zheng R.K., Chan H.L.W., Choy C.L., Wang Y. (2006), Appl.Phys.Lett., V.89., P.232906-1-232906-3.

Wang S.Y., Cheng B.L., Wang C., Dai S.Y., Jin K.J., Zhou Y.L., Lu H.B., Chen Z.H., Yang G.Z. (2006), J.Appl.Phys, V.99, P.013504-1-013504-6.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-12-25

Як цитувати

[1]
S. Voronov, A. Bogorosh, S. Muravov, і N. Gordiiko, «ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 50(2), с. 84–92, Груд 2015.

Номер

Розділ

НАУКОВІ ТА ПРАКТИЧНІ ПРОБЛЕМИ ВИРОБНИЦТВА ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ