ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ВИМОГ ДО ФОТОПРИЙМАЛЬНОГО ПРИСТРОЮ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ НА ОСНОВІ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ

Автор(и)

  • Anatoliy Molodyk НТУУ "КПІ"
  • Alexandr Ponomarenko НТУУ "КПІ"
  • Nicolaiy Baltabaev НТУУ "КПІ"

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.48(2).2014.36052

Ключові слова:

фотоприймачі довгохвильового діапазону, структурі с квантовими ямами, МОС - гідридна епітаксія

Анотація

Вже багато років за кордоном приділяють особливу увагу розробці нових та перспективних фотоприймачів. Зокрема, фотоприймачі для довгохвильового діапазону знаходяться в активній стадії розробки вже понад 20 років. Варто відзначити, що отримані результати стали можливими завдяки молекулярно – променевій епітаксії (МПЕ), що дозволяє створювати структури з квантовими ямами (СКЯ) з високою однорідністю параметрів на великій площі. Мабуть, основним недоліком МПЕ на сьогодні є її низька продуктивність та, як наслідок, відносно висока вартість одержуваних з її допомогою СКЯ. Це і стало головним акцентом обраного напрямку досліджень, а саме – вибору методу МОС-гідридної епітаксії (МОСГЕ) для вирощування СКЯ. З допомогою МОСГЕ можна вирощувати епітаксіальні плівки в декілька моноатомних шарів з високою точністю, забезпечуючи значно більш високу продуктивність чим з допомогою МПЕ. На основі проведених досліджень можна зробити важливий висновок, що існує цілком реальна можливість для вирощування методом МОСГЕ СКЯ з двома активними областями, кожна з яких має чутливість в заданій області спектра, наприклад 3-5 та 8-12 мкм. На основі таких СКЯ можуть бути виготовлені монолітні двоспектральні фотоприймачі.

Посилання

Zavadskij Ju.I., Kuznecov Ju.A., Chernokozhij V.V., Belokonev V.M., Degtjarev E.V. Faktory, ogranichivajushhie porogovye harakteristiki matrichnyh fotopriemnikov dlinnovolnovogo infrakrasnogo diapazona. Tez. dokl. Soveshh. «Aktual'nye problemy poluprovodnikovoj fotojelektroniki. Fotonika-2003». Novosibirsk. 2003, p. 40. (In Russian)

S.D.Gunapala, V.Bandara, J.K.Liu, et.al., IEEE Trans. El. Dev. v.45, N9, pp. 1890-1895.

M.Z.Tidrow, J.C.Ciang, S.S.Li, K.Bacher, Proc SPIE, V3061, pp. 772-780, 1997.

M.Sundaram, S.C.Wang, Proc.SPIE, V.4028, pp. 311-316, 2000.

1.D.Zalevsky, V.B.Kulikov, G.H.Avetisyan et.al., Proc SPIE, V.2397, pp. 733-744, 1995.

V.B.Kulikov, I.V.Budkin, Tez. Dokl. XVII Mezhdunarodnoj nauchno-tehnicheskoj konferencii po fotojelektronike i priboram nochnogo videnija, maj, 2002, Moscow. (In Russian)

Y.Zhang, N.Baruh,W.I.Wang, Electr.Lett., v.29, N2, pp213-214. (1993)

W.E.Hagston, T.Stimer, F.Rasul, J.Appl.Phys., v.89, N2, pp 1087-1100, (2001).

D.G.Deppe,N.Holonyak, J.Appl.Phys., v.64, N12,R93-R113 (1988).

A.Ja.Shik., FTP , V.20, is.9, pp. 1598-1603 (1986). (In Russian)

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-29

Номер

Розділ

ВИСОКОЕФЕКТИВНІ ТЕХНОЛОГІЧНІ ПРОЦЕСИ В ПРИЛАДОБУДУВАННІ