ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ВИМОГ ДО ФОТОПРИЙМАЛЬНОГО ПРИСТРОЮ ІНФРАЧЕРВОНОГО ДІАПАЗОНУ НА ОСНОВІ СТРУКТУР З КВАНТОВИМИ ЯМАМИ

Anatoliy Molodyk, Alexandr Ponomarenko, Nicolaiy Baltabaev

Анотація


Вже багато років за кордоном приділяють особливу увагу розробці нових та перспективних фотоприймачів. Зокрема, фотоприймачі для довгохвильового діапазону знаходяться в активній стадії розробки вже понад 20 років. Варто відзначити, що отримані результати стали можливими завдяки молекулярно – променевій епітаксії (МПЕ), що дозволяє створювати структури з квантовими ямами (СКЯ) з високою однорідністю параметрів на великій площі. Мабуть, основним недоліком МПЕ на сьогодні є її низька продуктивність та, як наслідок, відносно висока вартість одержуваних з її допомогою СКЯ. Це і стало головним акцентом обраного напрямку досліджень, а саме – вибору методу МОС-гідридної епітаксії (МОСГЕ) для вирощування СКЯ. З допомогою МОСГЕ можна вирощувати епітаксіальні плівки в декілька моноатомних шарів з високою точністю, забезпечуючи значно більш високу продуктивність чим з допомогою МПЕ. На основі проведених досліджень можна зробити важливий висновок, що існує цілком реальна можливість для вирощування методом МОСГЕ СКЯ з двома активними областями, кожна з яких має чутливість в заданій області спектра, наприклад 3-5 та 8-12 мкм. На основі таких СКЯ можуть бути виготовлені монолітні двоспектральні фотоприймачі.


Ключові слова


фотоприймачі довгохвильового діапазону; структурі с квантовими ямами; МОС - гідридна епітаксія

Повний текст:

PDF

Посилання


Zavadskij Ju.I., Kuznecov Ju.A., Chernokozhij V.V., Belokonev V.M., Degtjarev E.V. Faktory, ogranichivajushhie porogovye harakteristiki matrichnyh fotopriemnikov dlinnovolnovogo infrakrasnogo diapazona. Tez. dokl. Soveshh. «Aktual'nye problemy poluprovodnikovoj fotojelektroniki. Fotonika-2003». Novosibirsk. 2003, p. 40. (In Russian)

S.D.Gunapala, V.Bandara, J.K.Liu, et.al., IEEE Trans. El. Dev. v.45, N9, pp. 1890-1895.

M.Z.Tidrow, J.C.Ciang, S.S.Li, K.Bacher, Proc SPIE, V3061, pp. 772-780, 1997.

M.Sundaram, S.C.Wang, Proc.SPIE, V.4028, pp. 311-316, 2000.

1.D.Zalevsky, V.B.Kulikov, G.H.Avetisyan et.al., Proc SPIE, V.2397, pp. 733-744, 1995.

V.B.Kulikov, I.V.Budkin, Tez. Dokl. XVII Mezhdunarodnoj nauchno-tehnicheskoj konferencii po fotojelektronike i priboram nochnogo videnija, maj, 2002, Moscow. (In Russian)

Y.Zhang, N.Baruh,W.I.Wang, Electr.Lett., v.29, N2, pp213-214. (1993)

W.E.Hagston, T.Stimer, F.Rasul, J.Appl.Phys., v.89, N2, pp 1087-1100, (2001).

D.G.Deppe,N.Holonyak, J.Appl.Phys., v.64, N12,R93-R113 (1988).

A.Ja.Shik., FTP , V.20, is.9, pp. 1598-1603 (1986). (In Russian)




DOI: https://doi.org/10.20535/1970.48(2).2014.36052

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2017 Рівні права