ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ МОЛЬНОГО СКЛАДУ НА РУХЛИВІСТЬ ЕЛЕКТРОНІВ В АРСЕНІДІ АЛЮМІНІЮ-ГАЛІЮ

Автор(и)

  • Тетяна Саурова Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна https://orcid.org/0000-0002-7600-8266
  • Владислав Шпиченко Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.66(2).2023.294962

Ключові слова:

AlGaAs, арсенід алюмінію-галію, рухливість електронів, мольний склад, метод релаксаційних рівнянь

Анотація

Вдосконалення технології вирощування багатокомпонентних напівпровідників та дослідження потенційних можливостей їх застосування сприяють розробці напівпровідникових приладів з покращеними характеристиками. Арсенід алюмінію-галію є перспективним трикомпонентним напівпровідником з точки зору відповідності кристалічних ґраток, що викликало всебічне дослідження матеріалу з метою створення на його основі
високоефективних електронних та оптоелектронних приладів. Прогнозування перспектив створення приладів на основі тих чи інших матеріалів вимагає ґрунтовного знання насамперед їх електричних властивостей.
Зазначимо, що у науково-технічній літературі недостатньо розкрито можливості моделювання рухливості електронів в арсеніді алюмінію-галію. Метою роботи є моделювання залежності рухливості електронів твердого розчину AlxGa1–xAs від мольного складу х.
Моделювання проведено методом релаксаційних рівнянь; на основі тридолинної моделі зони провідності.
Наведена методика та проведено чисельний експеримент з визначення залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу х твердого розчину. Звертається увага на особливість моделювання процесів міждолинного нееквівалентного розсіювання, що відповідає суттєвому зближенню енергетичних долин один до одного.
Отримано модельну залежність холівської рухливості електронів в AlxGa1–xAs у повному діапазоні значень мольного складу та зіставлено її з експериментальними результатами. Наведені додаткові результати моделювання, що сприяють розумінню процесів, які призводять до появи специфічної особливості залежності рухливості електронів від мольного складу AlxGa1–xAs.
Визначено набір вихідних параметрів моделювання, який забезпечує хорошу відповідність до експериментальних результатів, розглянутих у роботі. Отримані результати чисельного моделювання відкривають можливості до додаткових досліджень властивостей арсеніду алюмінію-галію. Запропоновано методику моделювання залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу для трикомпонентних твердих розчинів.

Біографія автора

Тетяна Саурова, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

ФЕЛ, доцент кафедри електронної інженерії

Посилання

V. Osinsky, I. Masol, N. Lyahova, A. Osinsky, A. Diagilev, M. Onachenko, «The composite polarization of multicomponent III-nitride for component nanostructures», ElectronComm, vol. 21, no. 6(95), pp. 10–21, 2016. Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2016_21_6_4

S. Mokkapati, Chennupati Jagadish, “III-V Compound SC for optoelectronic devices”, Materials Today, vol. 12, no. 4, pp. 22–32, 2009. DOI:10.1016/S1369-7021(09)70110-5

Saurova T., Baida I., “Infrared detectors based on ternary semiconductor quantum structures”, Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series INSTRUMENT MAKING, vol. 52(2), pp. 65−71, 2016. DOI: 10.20535/1970.52(2).2016.92951

J. Chu, R.P. Devaty, E.C. Fernandes da Silva, J. Gutowski, B. Hönerlage, F. Matsukura, K. Sebald, T. Voss. Semiconductors New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Berlin : Springer-Verlag. 2010. 502. DOI: 10.1007/978-3-540-92140-0

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan, “Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys”, J. Appl. Phys., vol. 89, no. 11, pp. 5815–5875, 2001. DOI: 10.1063/1.1368156

S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III – V, II – VI Semiconductors: West Sussex, United Kingdom: John Wiley & Sons Ltd, 2009. 400. DOI:10.1002/9780470744383

V.A. Moskaliuk, V.I. Timofeyev, A.V. Fedyay. High-Speed Electronics Devices. Kyiv: Polytechnika. 2014. (in Ukrainian)

T. Saurova, E. Semenovskaya, М. Emelianov, «Research of transport properties of electrons in nitrides indium and gallium», Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series INSTRUMENT MAKING, vol. 60(2), pp. 32–39, 2020. DOI: 10.20535/1970.60(2).2020.221422 (in Ukrainian)

А. К. Saxena, “Electron mobility in Ga1-хA1хAs alloys”, Phys. Rev. B, vol. 24, no. 6, pp. 3295–3302, 1981. DOI: 10.1103/PhysRevB.24.3295

T. Saurova, V. Bors, “Scattering Mechanisms in Arsenide Indium”, in IEEE 39th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kyiv, 2019, pp. 124–128. DOI: 10.1109/ELNANO.2019.8783663

I. Baida, V. Moskaliuk, “Alloy scattering relaxation time simulation”, in International Conference on Information and Telecommunication Technologies and Radio Electronics (UkrMiCo), Odessa, Ukraine, 2017, pp.11–15. DOI: 10.1109/UkrMiCo.2017.8095398

V. M. Ivashchenko, V. V. Mitin. Modeling of transport phenomena in semiconductors. The Monte Carlo method. Kyiv: Naukova Dumka. 1990. 192.

S. Adachi, “GaAs, AlAs, and AlxGa1−xAs: Material parameters for use in research and device applications”, J. Appl. Phys., vol. 58, no. 3, pp. R1–R29, 1985. DOI: 10.1063/1.336070.

W. C. Liu, “Investigation of electrical and and photoluminescent proporties of MBE-grown AlxGa1-xAs layers”, J. Mater. Sci., vol. 25, no. 3, pp. 1765–1772, 1990. DOI: 10.1007/BF01045382.

##submission.downloads##

Опубліковано

2023-12-27

Як цитувати

[1]
Т. Саурова і В. Шпиченко, «ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ МОЛЬНОГО СКЛАДУ НА РУХЛИВІСТЬ ЕЛЕКТРОНІВ В АРСЕНІДІ АЛЮМІНІЮ-ГАЛІЮ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 66(2), с. 60–65, Груд 2023.

Номер

Розділ

АНАЛІТИЧНЕ ТА ЕКОЛОГІЧНЕ ПРИЛАДОБУДУВАННЯ