ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ФОСФІДУ ІНДІЯ

Автор(и)

  • Tetiana Saurova Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Denis Kuzmenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.54(2).2017.119530

Ключові слова:

фосфід індію, імпульсні властивості, ефект «сплеску» дрейфової швидкості

Анотація

Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дан аналіз ефекту «сплеску» дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного «сплеску» швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості «сплеску» скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину «сплеску» і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення «сплеску» зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію.

Біографія автора

Tetiana Saurova, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

к.т.н., доцент

Посилання

V. A. Moskaliuk, Physics of electron processes. Dynamic processes, Kyiv: Polytechnika, 2004, p. 180.

Ioffe Physico-Technical Institute, "New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties." [Online]. Available: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP.

V. A. Moskaliuk, V. I. Timofeyev and A. V. Fedyay, High-Speed Electronics Devices, Kyiv: Polytechnika, 2012, p. 479.

T. Gonzalez Sanchez, J. E. Velazquez Perez, P. M. Gutierrez Conde and D. Pardo, Semiconductor Science and Technology, vol. 7, no. 1, pp. 31-36, 1992.

T. J. Maloney and J. Prey, J. Appl. Phys., vol. 48, no. 2, pp. 781-787, 1977.

T. H. Windhorn, L. W. Cook, M. A. Haase and G. E. Stillman, Appl.Phys. Lett., vol. 42, no. 8, pp. 725-727, 1983.

W. Fawcett and G. Hill, Electron. Lett, vol. 11, no. 4, pp. 80-81, 1975.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, "Proc. IEEE XXXIV International Scientific Conference ELECTRONICS AND NANOTECHNOLOGY," Ballistic transport in threenitrids, Kyiv, Ukraine, 2014.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, Elektronics and Communications, vol. 19, no. 5(82), pp. 26-31, 2014.

M. Shur, Modern Devices Based on Gallium Arsenide, Moscow: Mir, 1991, p. 632.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-12-25

Як цитувати

[1]
T. Saurova і D. Kuzmenko, «ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ФОСФІДУ ІНДІЯ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 54(2), с. 49–52, Груд 2017.

Номер

Розділ

АНАЛІТИЧНЕ ТА ЕКОЛОГІЧНЕ ПРИЛАДОБУДУВАННЯ