ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ФОСФІДУ ІНДІЯ

Tetiana Saurova, Denis Kuzmenko

Анотація


Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дан аналіз ефекту «сплеску» дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного «сплеску» швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості «сплеску» скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину «сплеску» і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення «сплеску» зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію.

Ключові слова


фосфід індію; імпульсні властивості; ефект «сплеску» дрейфової швидкості

Повний текст:

PDF

Посилання


V. A. Moskaliuk, Physics of electron processes. Dynamic processes, Kyiv: Polytechnika, 2004, p. 180.

Ioffe Physico-Technical Institute, "New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties." [Online]. Available: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP.

V. A. Moskaliuk, V. I. Timofeyev and A. V. Fedyay, High-Speed Electronics Devices, Kyiv: Polytechnika, 2012, p. 479.

T. Gonzalez Sanchez, J. E. Velazquez Perez, P. M. Gutierrez Conde and D. Pardo, Semiconductor Science and Technology, vol. 7, no. 1, pp. 31-36, 1992.

T. J. Maloney and J. Prey, J. Appl. Phys., vol. 48, no. 2, pp. 781-787, 1977.

T. H. Windhorn, L. W. Cook, M. A. Haase and G. E. Stillman, Appl.Phys. Lett., vol. 42, no. 8, pp. 725-727, 1983.

W. Fawcett and G. Hill, Electron. Lett, vol. 11, no. 4, pp. 80-81, 1975.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, "Proc. IEEE XXXIV International Scientific Conference ELECTRONICS AND NANOTECHNOLOGY," Ballistic transport in threenitrids, Kyiv, Ukraine, 2014.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, Elektronics and Communications, vol. 19, no. 5(82), pp. 26-31, 2014.

M. Shur, Modern Devices Based on Gallium Arsenide, Moscow: Mir, 1991, p. 632.




DOI: https://doi.org/10.20535/1970.54(2).2017.119530

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2018 Рівні права