ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ФОСФІДУ ІНДІЯ

Автор(и)

  • Tetiana Saurova Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Denis Kuzmenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1970.54(2).2017.119530

Ключові слова:

фосфід індію, імпульсні властивості, ефект «сплеску» дрейфової швидкості

Анотація

Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дан аналіз ефекту «сплеску» дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного «сплеску» швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості «сплеску» скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину «сплеску» і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення «сплеску» зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію.

Біографія автора

Tetiana Saurova, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

к.т.н., доцент

Посилання

V. A. Moskaliuk, Physics of electron processes. Dynamic processes, Kyiv: Polytechnika, 2004, p. 180.

Ioffe Physico-Technical Institute, "New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties." [Online]. Available: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP.

V. A. Moskaliuk, V. I. Timofeyev and A. V. Fedyay, High-Speed Electronics Devices, Kyiv: Polytechnika, 2012, p. 479.

T. Gonzalez Sanchez, J. E. Velazquez Perez, P. M. Gutierrez Conde and D. Pardo, Semiconductor Science and Technology, vol. 7, no. 1, pp. 31-36, 1992.

T. J. Maloney and J. Prey, J. Appl. Phys., vol. 48, no. 2, pp. 781-787, 1977.

T. H. Windhorn, L. W. Cook, M. A. Haase and G. E. Stillman, Appl.Phys. Lett., vol. 42, no. 8, pp. 725-727, 1983.

W. Fawcett and G. Hill, Electron. Lett, vol. 11, no. 4, pp. 80-81, 1975.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, "Proc. IEEE XXXIV International Scientific Conference ELECTRONICS AND NANOTECHNOLOGY," Ballistic transport in threenitrids, Kyiv, Ukraine, 2014.

V. A. Moskaliuk and K. K. Bol, Elektronics and Communications, vol. 19, no. 5(82), pp. 26-31, 2014.

M. Shur, Modern Devices Based on Gallium Arsenide, Moscow: Mir, 1991, p. 632.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-12-25

Як цитувати

[1]
T. Saurova і D. Kuzmenko, «ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ФОСФІДУ ІНДІЯ», Bull. Kyiv Polytech. Inst. Ser. Instrum. Mak., вип. 54(2), с. 49–52, Груд 2017.

Номер

№ 54(2) (2017)

Розділ

АНАЛІТИЧНЕ ТА ЕКОЛОГІЧНЕ ПРИЛАДОБУДУВАННЯ

Ліцензія

Авторське право на публікацію залишається за авторами.

Автори можуть використовувати власні матеріали в інших публікаціях за умови посилання на збірник наукових праць "Вісник Київського політехнічного інституту. Серія ПРИЛАДОБУДУВАННЯ" як на перше місце видання та на Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»  як на видавця.

Автори публікують свої статті в збірнику на умовах ліцензії Creative Commons:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії CC BY 4.0, яка дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на динаміці цитування опублікованої роботи.

 Видавець (КПІ ім. Ігоря Сікорського) має право за будь-якого використання цього видання зазначати своє ім'я або вимагати такого зазначення.

Редакційна колегія залишає за собою право розміщувати опубліковані в збірнику статті в різних інформаційних базах для надання відкритого доступу до матеріалів з метою популяризації наукових досліджень та підвищення цитованості авторів.